ВЛИЯНИЕ АНИЗОТРОПИИ ВАЛЕНТНОЙ ЗОНЫ НА ПОГЛОЩЕНИЕ КВАНТОВЫХ ЯМ GaAs/AlGaAs
About the Authors
А. ГерасимовичRussian Federation
С. Жоховец
Белорусский национальный технический университет
Belarus
Belarus
Р. Гольдхан
Технический университет Илъменау
Germany
Germany
Г. Гобш
Технический университет Илъменау
Germany
Germany
References
1. Luttinger М., Kohn W. // Phys. Rev. - 1955. - № 97, 869.
2. Broido D. A., Sham L. J. // Phys. Rev. B. - 1985. - № 31,888.
3. Ahn D., Chuang S. L. // IEEE J. Quantum Electron. - 1988.-№ 12, 2400.
4. Chuang S. L. Physics of optoelectronic devices. - Wiley-Interscience publication, 1995.
5. Nakov V. Modellierung der statischen elektronischen Eigenschaften von Halbleiterschichtstrukturen: Dissertation, Shaker Verlag, 1998.
Review
For citations:
, , , . Science & Technique. 2002;(6):89-91. (In Russ.)
Views:
1263
Email this article 