Для цитирования:
Герасимович А.А., Жоховец С.В., Гольдхан Р., Гобш Г. ВЛИЯНИЕ АНИЗОТРОПИИ ВАЛЕНТНОЙ ЗОНЫ НА ПОГЛОЩЕНИЕ КВАНТОВЫХ ЯМ GaAs/AlGaAs. НАУКА и ТЕХНИКА. 2002;(6):89-91.
Просмотров PDF (Rus): 99
Полноэкранный режим
Популярные статьи
Том 15, № 6 (2016)
Том 21, № 5 (2022)
Том 18, № 1 (2019)
Том 16, № 2 (2017)
Главный редактор
Харитончик С.В.
Инструменты статьи
Послать статью по эл. почте (Необходимо имя пользователя (логин))
Связаться с автором (Необходимо имя пользователя (логин))
Послать статью по эл. почте (Необходимо имя пользователя (логин))
Связаться с автором (Необходимо имя пользователя (логин))
Об авторах
Облако тегов
бетон
деформация
долговечность
износ
износостойкость
коррозия
математическая модель
математическое моделирование
метод конечных элементов
моделирование
напряженно-деформированное состояние
оптимизация
плазменное напыление
прочность
структура
технология
транспортное средство
фазовый состав
шероховатость
энергоэффективность
эффективность
Уведомления
220013, Республика Беларусь, г. Минск, пр. Независимости, 65,
Белорусский национальный технический университет, корп. 2, комн. 327.
Тел. +37517 320-65-14
E-mail: sat@bntu.by
