ВЛИЯНИЕ АНИЗОТРОПИИ ВАЛЕНТНОЙ ЗОНЫ НА ПОГЛОЩЕНИЕ КВАНТОВЫХ ЯМ GaAs/AlGaAs
Об авторах
А. А. ГерасимовичРоссия
С. В. Жоховец
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Беларусь
Кандидат физико-математических наук, доцент
Р. Гольдхан
Технический университет Илъменау
Германия
Германия
Кандидат физико-математических наук
Г. Гобш
Технический университет Илъменау
Германия
Германия
Доктор физико-математических наук, доцент
Список литературы
1. Luttinger М., Kohn W. // Phys. Rev. - 1955. - № 97, 869.
2. Broido D. A., Sham L. J. // Phys. Rev. B. - 1985. - № 31,888.
3. Ahn D., Chuang S. L. // IEEE J. Quantum Electron. - 1988.-№ 12, 2400.
4. Chuang S. L. Physics of optoelectronic devices. - Wiley-Interscience publication, 1995.
5. Nakov V. Modellierung der statischen elektronischen Eigenschaften von Halbleiterschichtstrukturen: Dissertation, Shaker Verlag, 1998.
Рецензия
Для цитирования:
Герасимович А.А., Жоховец С.В., Гольдхан Р., Гобш Г. ВЛИЯНИЕ АНИЗОТРОПИИ ВАЛЕНТНОЙ ЗОНЫ НА ПОГЛОЩЕНИЕ КВАНТОВЫХ ЯМ GaAs/AlGaAs. НАУКА и ТЕХНИКА. 2002;(6):89-91.
Просмотров:
1247
Послать статью по эл. почте 