МЕХАНИЗМЫ ОБРАЗОВАНИЯ СЛОИСТЫХ МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Аннотация

Изучены закономерности структурообразования в тонкопленочном покрытии, наносимом на кристаллы алмаза магнетронным распылением комбинированного катода (Si + C). Установлено, что в процессе конденсации тонкопленочного покрытия (до 20 нм) формируется аморфный слой из смеси атомов Si и C, обработка которого плазмой тлеющего разряда сопровождается воздействием частиц плазмы с формированием поверхностных волн, что способствует перемещению активных атомов углерода  и  образованию  более  сильной  связи  Si–C.  В покрытиях (Si + C) толщиной свыше 100 нм структурообразование протекает по диффузионному механизму при низких температурах (650–850 ºС) с образованием α-SiC с аморфным слоем. Твердофазное реакционное спекание простых элементов (кремния и углерода) в нанопокрытиях, полученных на алмазных порошках, позволяет изготовить композиты из таких порошков с заданным комплексом свойств за счет управления строением зоны соединения частиц на атомном и кластерном уровнях.