TEMPERATURE-DEPENDENT MODEL OF ION-ALLOYED RESISTORS OF SUB-MICRON BIPOLAR AIS
Abstract
Results of the investigation on main characteristics library of various integral resistors (IR) within the following temperature and current ranges, respectively (–70)–(+150) °С and 10–6–10–2 А are presented in the paper. The paper contains a temperature-dependent IR-model. Its analysis permits to explain experimental dependences and develop concrete recommendations on IR calculation and application in IS.
About the Authors
A. Belous
Белмикросистемы
I. Zuikov
Belarusian National Technical University
V. Siakersky
Белмикросистемы
D. Rusakievich
Belarusian National Technical University
References
1. Перельман, Б. Л. Температурная зависимость коэффициента передачи тока кремниевых планарных транзисторов при малых уровнях инжекции / Б. Л. Перельман, В. Н. Придорогин // Полупроводниковые приборы и их применение / под. ред. В. А. Федотова. – М. : Сов. радио, 1970. – Вып. 24. – С. 13–26.
2. Twirdds, V. Accurate analysis of temperature effects Ic-UBF characteristics with application to bandgap of reference sources / V. Twirdds // J. IEEE on Solid-State Circuits. – 1980. – Vol. 15, № 6. – P. 1076–1083.
3. Малиновская, Е. В. Расчет сопротивления пинч-резистора / Е. В. Малиновская, Ю. А. Малышев // Электронная техника. Сер. 3: Микроэлектроника. – 1980. – Вып. 3. – С. 20–27.
4. Shenk, S. Li. The dopant density and temperature dependence of hole mobility and resistivity in boron doped silicon / S. Li. Shenk // Solid – State Electronics. – 1978. – Vol. 21, № 9. – P. 1109–1117.
5. Тиходеев, Ю. С. К вопросу о механизме пробоя р-n-переходов в полупроводниках / Ю. С. Тиходеев, А. Ф. Трутко // Электронная техника. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. – 1968. – Вып. 1. – С. 112–138.
6. Kajiyama, К. Temperature dependence of avalanche breakdown voltage in Si p-n-junctions / К. Kajiyama // J. Appl. Phys. – 1976. – Vol. 47, № 6. – P. 2744–2745.
Review
For citations:
Belous A., Zuikov I., Siakersky V., Rusakievich D. TEMPERATURE-DEPENDENT MODEL OF ION-ALLOYED RESISTORS OF SUB-MICRON BIPOLAR AIS. Science & Technique. 2012;(2):24-28. (In Russ.)
Views:
564
Email this article 