satНАУКА и ТЕХНИКАScience & Technique2227-10312414-0392Belarusian National Technical Universitysat-259Research ArticleПРИБОРОСТРОЕНИЕ, МЕТРОЛОГИЯ И ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫINSTRUMENTATION ENGINEERING, METROLOGY AND INFORMATION MEASURING INSTRUMENTS AND SYSTEMSТЕМПЕРАТУРНО-ЗАВИСИМАЯ МОДЕЛЬ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ РЕЗИСТОРОВ СУБМИКРОННЫХ БИПОЛЯРНЫХ БИСTEMPERATURE-DEPENDENT MODEL OF ION-ALLOYED RESISTORS OF SUB-MICRON BIPOLAR AISБелоусА. И.BelousA.

Доктор технических наук, профессор

sat@bntu.byЗуйковИ. Е.ZuikovI.

Доктор физико-математических наук, профессор

 

sat@bntu.byСякерскийВ. С.SiakerskyV.sat@bntu.byРусакевичД. А.RusakievichD.

Кандидат технических наук

sat@bntu.byБелмикросистемыBelarusБелорусский национальный технический университетБеларусьBelarusian National Technical UniversityBelarus201210042012022428Copyright © Белоус А.И., Зуйков И.Е., Сякерский В.С., Русакевич Д.А., 20122012Белоус А.И., Зуйков И.Е., Сякерский В.С., Русакевич Д.А.Belous A., Zuikov I., Siakersky V., Rusakievich D.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://sat.bntu.by/jour/article/view/259

Приведены результаты исследования основных характеристик библиотеки интегральных резисторов (ИР) различных типов в диапазоне температур (–70)–(+150) °С и токов 10–6–10–2 А. Представлена температурозависимая модель ИР, анализ которой позволяет объяснить наблюдаемые экспериментальные зависимости и разработать конкретные рекомендации по расчету и применению ИР в составе ИС.

Results of the investigation on main characteristics library of various integral resistors (IR)  within the following temperature and current ranges, respectively (–70)–(+150) °С and 10–6–10–2 А  are presented in the paper. The paper contains a temperature-dependent IR-model. Its analysis permits to explain experimental dependences and develop concrete recommendations on IR calculation and application in IS.

 

ReferencesПерельман, Б. Л. Температурная зависимость коэффициента передачи тока кремниевых планарных транзисторов при малых уровнях инжекции / Б. Л. Перельман, В. Н. Придорогин // Полупроводниковые приборы и их применение / под. ред. В. А. Федотова. – М. : Сов. радио, 1970. – Вып. 24. – С. 13–26.Перельман, Б. Л. Температурная зависимость коэффициента передачи тока кремниевых планарных транзисторов при малых уровнях инжекции / Б. Л. Перельман, В. Н. Придорогин // Полупроводниковые приборы и их применение / под. ред. В. А. Федотова. – М. : Сов. радио, 1970. – Вып. 24. – С. 13–26.Twirdds, V. Accurate analysis of temperature effects Ic-UBF characteristics with application to bandgap of reference sources / V. Twirdds // J. IEEE on Solid-State Circuits. – 1980. – Vol. 15, № 6. – P. 1076–1083.Twirdds, V. Accurate analysis of temperature effects Ic-UBF characteristics with application to bandgap of reference sources / V. Twirdds // J. IEEE on Solid-State Circuits. – 1980. – Vol. 15, № 6. – P. 1076–1083.Малиновская, Е. В. Расчет сопротивления пинч-резистора / Е. В. Малиновская, Ю. А. Малышев // Электронная техника. Сер. 3: Микроэлектроника. – 1980. – Вып. 3. – С. 20–27.Малиновская, Е. В. Расчет сопротивления пинч-резистора / Е. В. Малиновская, Ю. А. Малышев // Электронная техника. Сер. 3: Микроэлектроника. – 1980. – Вып. 3. – С. 20–27.Shenk, S. Li. The dopant density and temperature dependence of hole mobility and resistivity in boron doped silicon / S. Li. Shenk // Solid – State Electronics. – 1978. – Vol. 21, № 9. – P. 1109–1117.Shenk, S. Li. The dopant density and temperature dependence of hole mobility and resistivity in boron doped silicon / S. Li. Shenk // Solid – State Electronics. – 1978. – Vol. 21, № 9. – P. 1109–1117.Тиходеев, Ю. С. К вопросу о механизме пробоя р-n-переходов в полупроводниках / Ю. С. Тиходеев, А. Ф. Трутко // Электронная техника. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. – 1968. – Вып. 1. – С. 112–138.Тиходеев, Ю. С. К вопросу о механизме пробоя р-n-переходов в полупроводниках / Ю. С. Тиходеев, А. Ф. Трутко // Электронная техника. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. – 1968. – Вып. 1. – С. 112–138.Kajiyama, К. Temperature dependence of avalanche breakdown voltage in Si p-n-junctions / К. Kajiyama // J. Appl. Phys. – 1976. – Vol. 47, № 6. – P. 2744–2745.Kajiyama, К. Temperature dependence of avalanche breakdown voltage in Si p-n-junctions / К. Kajiyama // J. Appl. Phys. – 1976. – Vol. 47, № 6. – P. 2744–2745.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.