ТЕМПЕРАТУРНО-ЗАВИСИМАЯ МОДЕЛЬ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ РЕЗИСТОРОВ СУБМИКРОННЫХ БИПОЛЯРНЫХ БИС
Аннотация
Приведены результаты исследования основных характеристик библиотеки интегральных резисторов (ИР) различных типов в диапазоне температур (–70)–(+150) °С и токов 10–6–10–2 А. Представлена температурозависимая модель ИР, анализ которой позволяет объяснить наблюдаемые экспериментальные зависимости и разработать конкретные рекомендации по расчету и применению ИР в составе ИС.
Об авторах
А. И. БелоусДоктор технических наук, профессор
И. Е. Зуйков
Доктор физико-математических наук, профессор
В. С. Сякерский
Д. А. Русакевич
Кандидат технических наук
Список литературы
1. Перельман, Б. Л. Температурная зависимость коэффициента передачи тока кремниевых планарных транзисторов при малых уровнях инжекции / Б. Л. Перельман, В. Н. Придорогин // Полупроводниковые приборы и их применение / под. ред. В. А. Федотова. – М. : Сов. радио, 1970. – Вып. 24. – С. 13–26.
2. Twirdds, V. Accurate analysis of temperature effects Ic-UBF characteristics with application to bandgap of reference sources / V. Twirdds // J. IEEE on Solid-State Circuits. – 1980. – Vol. 15, № 6. – P. 1076–1083.
3. Малиновская, Е. В. Расчет сопротивления пинч-резистора / Е. В. Малиновская, Ю. А. Малышев // Электронная техника. Сер. 3: Микроэлектроника. – 1980. – Вып. 3. – С. 20–27.
4. Shenk, S. Li. The dopant density and temperature dependence of hole mobility and resistivity in boron doped silicon / S. Li. Shenk // Solid – State Electronics. – 1978. – Vol. 21, № 9. – P. 1109–1117.
5. Тиходеев, Ю. С. К вопросу о механизме пробоя р-n-переходов в полупроводниках / Ю. С. Тиходеев, А. Ф. Трутко // Электронная техника. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. – 1968. – Вып. 1. – С. 112–138.
6. Kajiyama, К. Temperature dependence of avalanche breakdown voltage in Si p-n-junctions / К. Kajiyama // J. Appl. Phys. – 1976. – Vol. 47, № 6. – P. 2744–2745.
Рецензия
Для цитирования:
Белоус А.И., Зуйков И.Е., Сякерский В.С., Русакевич Д.А. ТЕМПЕРАТУРНО-ЗАВИСИМАЯ МОДЕЛЬ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ РЕЗИСТОРОВ СУБМИКРОННЫХ БИПОЛЯРНЫХ БИС. НАУКА и ТЕХНИКА. 2012;(2):24-28.
For citation:
Belous A., Zuikov I., Siakersky V., Rusakievich D. TEMPERATURE-DEPENDENT MODEL OF ION-ALLOYED RESISTORS OF SUB-MICRON BIPOLAR AIS. Science & Technique. 2012;(2):24-28. (In Russ.)