ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОШАБЛОНОВ, ОСНОВАННАЯ НА ОПЕРАТИВНОМ МОДЕЛИРОВАНИИ ПАРАМЕТРИЗОВАННЫХ ПРОЦЕССОВ ФОТОЛИТОГРАФИИ
Аннотация
Приводятся результаты разработки нового подхода к изготовлению оригиналов топологии на фотошаблонах, обеспечивающего возможность оперативной оценки фотолитографической значимости дефектов маски, обнаруженных в процессе контроля фотошаблонов на соответствие топологии, без выполнения операции проекционного переноса изображения с фотошаблона на полупроводниковую пластину. Данный подход гарантирует отсутствие не только одиночных, но и групповых дефектов топологии, а также дефектов структур коррекции оптической близости.
Список литературы
1. Kwok, A. Resolution Enhancement Techniques in Optical Lithography / A. Kwok, K. Wong // SPIE PRESS. – USA, 2001. – 213 р.
2. Аваков, С. М. Применение оборудования для автоматического контроля планарных структур в производстве оригиналов топологии интегральных схем на фотошаблонах / С. М. Аваков // Вестник БНТУ. – 2007. – № 6. – C. 64–70.
3. Лазерная литография. Коррекция формы субмикронных элементов / С. М. Аваков [и др.] // Электроника НТБ. – 2009. – № 8. – С. 82–85.
4. Syed, A. Rizvi. Handbook of Photomask Manufacturing Technology / A. Rizvi Syed // Taylor and Francis. – USA, 2005. – 862 р.
5. Аваков, С. М. Методы получения субпиксельного разрешения при автоматическом контроле оригиналов топологии интегральных схем / С. М. Аваков // Вестник БНТУ. – 2008. – № 1. – С. 44–49.
6. Оптико-механические комплексы для бездефектного изготовления фотошаблонов 0,35 мкм и 90 нм / С. М. Аваков [и др.] // Фотоника (приложение к журналу «Электроника НТБ»). – 2007. – № 6. – С. 35–39.
7. Laser mask repaire for advanced technologies / A. Dinsdale [et al.] // VDE/VDI, GMM Fachbericht. – 2006. – № 49. – P. 247–262.
8. Аваков, С. М. Автоматический контроль топологии субмикронных планарных структур / С. М. Аваков. – Минск : ФУАинформ, 2007. – 168 с.
9. Guo, E. Simulation Based Mask Defect Printability Verification and Disposition, Part II / E. Guo, I. Shi, B. Gao // SPIE. – 2011. – Vol. 8166. – Р. 21–28.
Рецензия
Для цитирования:
Русецкий В.А. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОШАБЛОНОВ, ОСНОВАННАЯ НА ОПЕРАТИВНОМ МОДЕЛИРОВАНИИ ПАРАМЕТРИЗОВАННЫХ ПРОЦЕССОВ ФОТОЛИТОГРАФИИ. НАУКА и ТЕХНИКА. 2013;(4):43-48.
For citation:
Rusetski V.A. MANUFACTURING TECHNOLOGY OF PHOTOGRAPHIC MASKS BASED ON REAL-TIME SIMULATION OF PARAMETRIZED PHOTOLITHOGRAPHY PROCESS. Science & Technique. 2013;(4):43-48. (In Russ.)
Просмотров:
1629
Послать статью по эл. почте 