satНАУКА и ТЕХНИКАScience & Technique2227-10312414-0392Belarusian National Technical Universitysat-246Research ArticleПРИБОРОСТРОЕНИЕ, МЕТРОЛОГИЯ И ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫINSTRUMENTATION ENGINEERING, METROLOGY AND INFORMATION MEASURING INSTRUMENTS AND SYSTEMSТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОШАБЛОНОВ, ОСНОВАННАЯ НА ОПЕРАТИВНОМ МОДЕЛИРОВАНИИ ПАРАМЕТРИЗОВАННЫХ ПРОЦЕССОВ ФОТОЛИТОГРАФИИMANUFACTURING TECHNOLOGY OF PHOTOGRAPHIC MASKS BASED ON REAL-TIME SIMULATION OF PARAMETRIZED PHOTOLITHOGRAPHY PROCESSРусецкийВ. А.RusetskiV. A.

Аспирант

sat@bntu.byКБТЭМ-ОМОBelarus201325082013044348Copyright © Русецкий В.А., 20132013Русецкий В.А.Rusetski V.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://sat.bntu.by/jour/article/view/246

Приводятся результаты разработки нового подхода к изготовлению оригиналов топологии на фотошаблонах, обеспечивающего возможность оперативной оценки фотолитографической значимости дефектов маски, обнаруженных в процессе контроля фотошаблонов на соответствие топологии, без выполнения операции проекционного переноса изображения с фотошаблона на полупроводниковую пластину. Данный подход гарантирует отсутствие не только одиночных, но и групповых дефектов топологии, а также дефектов структур коррекции оптической близости.

The paper presents results of the new developed approach to manufacturing of original topology using  photographic  masks  that allows to perform a real-time estimation of photolithographic  significance of the pattern defects on a mask being detected while controlling the correspondence of the photographic masks to the required topology.  In this case such operation as projection transfer of an image from the photographic mask to wafer has not been applied. The given approach excludes not only  single but topology group defects as well and also optical proximity correction structure defects.

 

ReferencesKwok, A. Resolution Enhancement Techniques in Optical Lithography / A. Kwok, K. Wong // SPIE PRESS. – USA, 2001. – 213 р.Kwok, A. Resolution Enhancement Techniques in Optical Lithography / A. Kwok, K. Wong // SPIE PRESS. – USA, 2001. – 213 р.Аваков, С. М. Применение оборудования для автоматического контроля планарных структур в производстве оригиналов топологии интегральных схем на фотошаблонах / С. М. Аваков // Вестник БНТУ. – 2007. – № 6. – C. 64–70.Аваков, С. М. Применение оборудования для автоматического контроля планарных структур в производстве оригиналов топологии интегральных схем на фотошаблонах / С. М. Аваков // Вестник БНТУ. – 2007. – № 6. – C. 64–70.Лазерная литография. Коррекция формы субмикронных элементов / С. М. Аваков [и др.] // Электроника НТБ. – 2009. – № 8. – С. 82–85.Лазерная литография. Коррекция формы субмикронных элементов / С. М. Аваков [и др.] // Электроника НТБ. – 2009. – № 8. – С. 82–85.Syed, A. Rizvi. Handbook of Photomask Manufacturing Technology / A. Rizvi Syed // Taylor and Francis. – USA, 2005. – 862 р.Syed, A. Rizvi. Handbook of Photomask Manufacturing Technology / A. Rizvi Syed // Taylor and Francis. – USA, 2005. – 862 р.Аваков, С. М. Методы получения субпиксельного разрешения при автоматическом контроле оригиналов топологии интегральных схем / С. М. Аваков // Вестник БНТУ. – 2008. – № 1. – С. 44–49.Аваков, С. М. Методы получения субпиксельного разрешения при автоматическом контроле оригиналов топологии интегральных схем / С. М. Аваков // Вестник БНТУ. – 2008. – № 1. – С. 44–49.Оптико-механические комплексы для бездефектного изготовления фотошаблонов 0,35 мкм и 90 нм / С. М. Аваков [и др.] // Фотоника (приложение к журналу «Электроника НТБ»). – 2007. – № 6. – С. 35–39.Оптико-механические комплексы для бездефектного изготовления фотошаблонов 0,35 мкм и 90 нм / С. М. Аваков [и др.] // Фотоника (приложение к журналу «Электроника НТБ»). – 2007. – № 6. – С. 35–39.Laser mask repaire for advanced technologies / A. Dinsdale [et al.] // VDE/VDI, GMM Fachbericht. – 2006. – № 49. – P. 247–262.Laser mask repaire for advanced technologies / A. Dinsdale [et al.] // VDE/VDI, GMM Fachbericht. – 2006. – № 49. – P. 247–262.Аваков, С. М. Автоматический контроль топологии субмикронных планарных структур / С. М. Аваков. – Минск : ФУАинформ, 2007. – 168 с.Аваков, С. М. Автоматический контроль топологии субмикронных планарных структур / С. М. Аваков. – Минск : ФУАинформ, 2007. – 168 с.Guo, E. Simulation Based Mask Defect Printability Verification and Disposition, Part II / E. Guo, I. Shi, B. Gao // SPIE. – 2011. – Vol. 8166. – Р. 21–28.Guo, E. Simulation Based Mask Defect Printability Verification and Disposition, Part II / E. Guo, I. Shi, B. Gao // SPIE. – 2011. – Vol. 8166. – Р. 21–28.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.