Preview

НАУКА и ТЕХНИКА

Расширенный поиск

АНАЛИЗ МЕТОДОВ МОДЕЛИРОВАНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ

https://doi.org/10.21122/2227-1031-2002-0-5-50-54

Об авторах

В. А. Сычик
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Доктор технических наук, профессор


А. Д. Горожданов
Белорусский национальный технический университет
Беларусь

Кандидат технических наук



Н. Н. Уласюк
Белорусский национальный технический университет
Беларусь

Кандидат технических наук



С. С. Владимирова
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Студент


Список литературы

1. Pełka J., Muller N. Simulation of Dry Etch Processes by COMPOSOTE // IEEE Trans. - 1988. - Vol. CAD-7, № 2. -P. 154-159.

2. Salshurg K. A., Nansen N. N. Fedss-Finite-Element Diffusion-Simulation System // IEEE Trans. - 1983. - Vol. ED-30, №9.-P. 1004-1011.

3. Nobler G., Selberherr S. Two-Demensional Modeling of Ion Implantation Induced Point Defects // IEEE Trans. -1988. - Vol. CAD-7, № 2. - P. 174-180.


Рецензия

Для цитирования:


Сычик В.А., Горожданов А.Д., Уласюк Н.Н., Владимирова С.С. АНАЛИЗ МЕТОДОВ МОДЕЛИРОВАНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ. НАУКА и ТЕХНИКА. 2002;(5):50-54. https://doi.org/10.21122/2227-1031-2002-0-5-50-54

Просмотров: 1250


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2227-1031 (Print)
ISSN 2414-0392 (Online)