АНАЛИЗ МЕТОДОВ МОДЕЛИРОВАНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ
https://doi.org/10.21122/2227-1031-2002-0-5-50-54
Об авторах
В. А. СычикБеларусь
Доктор технических наук, профессор
А. Д. Горожданов
Беларусь
Кандидат технических наук
Н. Н. Уласюк
Беларусь
Кандидат технических наук
С. С. Владимирова
Беларусь
Студент
Список литературы
1. Pełka J., Muller N. Simulation of Dry Etch Processes by COMPOSOTE // IEEE Trans. - 1988. - Vol. CAD-7, № 2. -P. 154-159.
2. Salshurg K. A., Nansen N. N. Fedss-Finite-Element Diffusion-Simulation System // IEEE Trans. - 1983. - Vol. ED-30, №9.-P. 1004-1011.
3. Nobler G., Selberherr S. Two-Demensional Modeling of Ion Implantation Induced Point Defects // IEEE Trans. -1988. - Vol. CAD-7, № 2. - P. 174-180.
Рецензия
Для цитирования:
Сычик В.А., Горожданов А.Д., Уласюк Н.Н., Владимирова С.С. АНАЛИЗ МЕТОДОВ МОДЕЛИРОВАНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ. НАУКА и ТЕХНИКА. 2002;(5):50-54. https://doi.org/10.21122/2227-1031-2002-0-5-50-54