НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ СИНТЕЗ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
Об авторах
В. П. Новиков
Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси
Беларусь
Кандидат физико-математических наук
Д. С. Доманевский
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
С. В. Жоховец
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Кандидат физико-математических наук
В. А. Иванов
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Кандидат физико-математических наук
А. Н. Стецик
Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси
Беларусь
О. Амбахер
Технический университет Ильменау
Германия
Доктор, профессор
Г. Гобш
Технический университет Ильменау
Германия
Доктор, профессор
Список литературы
1. GaN: Processing, defects and devices / S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, F. Ren // J. Appl. Phys. 1999. V. 86, № l.-P. 1-78.
2. Epitaxial growth of zinc blende and wurtzitic gallium nitride thin films on (001) silicon / T. Lei, M. Fanciulli, R. J. Molnar et al. / J. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59, № 11. -P. 944-946.
3. Получение кубического GaN молекулярнопучковой эпитаксией на подложках пористого GaN / В. В. Мамутин, В. П. Улин, В. В. Третьяков и др. // Письма в ЖТФ. 1999. T. 24, № 1. С. 3-9.
Для цитирования:
Новиков В.П.,
Доманевский Д.С.,
Жоховец С.В.,
Иванов В.А.,
Стецик А.Н.,
Амбахер О.,
Гобш Г.
НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ СИНТЕЗ НИТРИДА ГАЛЛИЯ. НАУКА и ТЕХНИКА. 2003;(1):56-58.
Просмотров:
485
Послать статью по эл. почте 