satНАУКА и ТЕХНИКАScience & Technique2227-10312414-0392Belarusian National Technical Universitysat-1579Research ArticleЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИNATURAL AND ACCURATE SCIENCESНИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ СИНТЕЗ НИТРИДА ГАЛЛИЯНовиковВ. П.
Кандидат физико-математических наук
ДоманевскийД. С.ЖоховецС. В.
Кандидат физико-математических наук
ИвановВ. А.
Кандидат физико-математических наук
СтецикА. Н.АмбахерО.
Доктор, профессор
ГобшГ.
Доктор, профессор
Институт физики твердого тела и полупроводников НАН БеларусиBelarusБелорусский национальный технический университетBelarusТехнический университет ИльменауGermany200303022003015658Copyright © Новиков В.П., Доманевский Д.С., Жоховец С.В., Иванов В.А., Стецик А.Н., Амбахер О., Гобш Г., 20032003Новиков В.П., Доманевский Д.С., Жоховец С.В., Иванов В.А., Стецик А.Н., Амбахер О., Гобш Г.Новиков В.П., Доманевский Д.С., Жоховец С.В., Иванов В.А., Стецик А.Н., Амбахер О., Гобш Г.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://sat.bntu.by/jour/article/view/1579
.
ReferencesGaN: Processing, defects and devices / S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, F. Ren // J. Appl. Phys. 1999. V. 86, № l.-P. 1-78.GaN: Processing, defects and devices / S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, F. Ren // J. Appl. Phys. 1999. V. 86, № l.-P. 1-78.Epitaxial growth of zinc blende and wurtzitic gallium nitride thin films on (001) silicon / T. Lei, M. Fanciulli, R. J. Molnar et al. / J. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59, № 11. -P. 944-946.Epitaxial growth of zinc blende and wurtzitic gallium nitride thin films on (001) silicon / T. Lei, M. Fanciulli, R. J. Molnar et al. / J. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59, № 11. -P. 944-946.Получение кубического GaN молекулярнопучковой эпитаксией на подложках пористого GaN / В. В. Мамутин, В. П. Улин, В. В. Третьяков и др. // Письма в ЖТФ. 1999. T. 24, № 1. С. 3-9.Получение кубического GaN молекулярнопучковой эпитаксией на подложках пористого GaN / В. В. Мамутин, В. П. Улин, В. В. Третьяков и др. // Письма в ЖТФ. 1999. T. 24, № 1. С. 3-9.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.