Preview

НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ СИНТЕЗ НИТРИДА ГАЛЛИЯ

About the Authors

В. Новиков
Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси
Belarus


Д. Доманевский
Белорусский национальный технический университет
Belarus


С. Жоховец
Белорусский национальный технический университет
Belarus


В. Иванов
Белорусский национальный технический университет
Belarus


А. Стецик
Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси
Belarus


О. Амбахер
Технический университет Ильменау
Germany


Г. Гобш
Технический университет Ильменау
Germany


References

1. GaN: Processing, defects and devices / S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, F. Ren // J. Appl. Phys. 1999. V. 86, № l.-P. 1-78.

2. Epitaxial growth of zinc blende and wurtzitic gallium nitride thin films on (001) silicon / T. Lei, M. Fanciulli, R. J. Molnar et al. / J. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59, № 11. -P. 944-946.

3. Получение кубического GaN молекулярнопучковой эпитаксией на подложках пористого GaN / В. В. Мамутин, В. П. Улин, В. В. Третьяков и др. // Письма в ЖТФ. 1999. T. 24, № 1. С. 3-9.


Review

For citations:


 ,  ,  ,  ,  ,  ,   . Science & Technique. 2003;(1):56-58. (In Russ.)

Views: 458


Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2227-1031 (Print)
ISSN 2414-0392 (Online)