НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ СИНТЕЗ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
About the Authors
В. НовиковBelarus
Д. Доманевский
Belarus
С. Жоховец
Belarus
В. Иванов
Belarus
А. Стецик
Belarus
О. Амбахер
Germany
Г. Гобш
Germany
References
1. GaN: Processing, defects and devices / S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, F. Ren // J. Appl. Phys. 1999. V. 86, № l.-P. 1-78.
2. Epitaxial growth of zinc blende and wurtzitic gallium nitride thin films on (001) silicon / T. Lei, M. Fanciulli, R. J. Molnar et al. / J. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59, № 11. -P. 944-946.
3. Получение кубического GaN молекулярнопучковой эпитаксией на подложках пористого GaN / В. В. Мамутин, В. П. Улин, В. В. Третьяков и др. // Письма в ЖТФ. 1999. T. 24, № 1. С. 3-9.
Review
For citations:
, , , , , , . Science & Technique. 2003;(1):56-58. (In Russ.)