НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ СИНТЕЗ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
About the Authors
В. Новиков
Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси
Belarus
Belarus
Д. Доманевский
Белорусский национальный технический университет
Belarus
Belarus
С. Жоховец
Белорусский национальный технический университет
Belarus
Belarus
В. Иванов
Белорусский национальный технический университет
Belarus
Belarus
А. Стецик
Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси
Belarus
Belarus
О. Амбахер
Технический университет Ильменау
Germany
Germany
Г. Гобш
Технический университет Ильменау
Germany
Germany
References
1. GaN: Processing, defects and devices / S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, F. Ren // J. Appl. Phys. 1999. V. 86, № l.-P. 1-78.
2. Epitaxial growth of zinc blende and wurtzitic gallium nitride thin films on (001) silicon / T. Lei, M. Fanciulli, R. J. Molnar et al. / J. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59, № 11. -P. 944-946.
3. Получение кубического GaN молекулярнопучковой эпитаксией на подложках пористого GaN / В. В. Мамутин, В. П. Улин, В. В. Третьяков и др. // Письма в ЖТФ. 1999. T. 24, № 1. С. 3-9.
Review
For citations:
, , , , , , . Science & Technique. 2003;(1):56-58. (In Russ.)
Views:
470
Email this article 