НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ СИНТЕЗ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
Об авторах
В. П. Новиков
Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси
Беларусь
Кандидат физико-математических наук
Беларусь
Кандидат физико-математических наук
Д. С. Доманевский
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Беларусь
С. В. Жоховец
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Кандидат физико-математических наук
Беларусь
Кандидат физико-математических наук
В. А. Иванов
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Кандидат физико-математических наук
Беларусь
Кандидат физико-математических наук
А. Н. Стецик
Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси
Беларусь
Беларусь
О. Амбахер
Технический университет Ильменау
Германия
Доктор, профессор
Германия
Доктор, профессор
Г. Гобш
Технический университет Ильменау
Германия
Доктор, профессор
Германия
Доктор, профессор
Список литературы
1. GaN: Processing, defects and devices / S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, F. Ren // J. Appl. Phys. 1999. V. 86, № l.-P. 1-78.
2. Epitaxial growth of zinc blende and wurtzitic gallium nitride thin films on (001) silicon / T. Lei, M. Fanciulli, R. J. Molnar et al. / J. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59, № 11. -P. 944-946.
3. Получение кубического GaN молекулярнопучковой эпитаксией на подложках пористого GaN / В. В. Мамутин, В. П. Улин, В. В. Третьяков и др. // Письма в ЖТФ. 1999. T. 24, № 1. С. 3-9.
Рецензия
Для цитирования:
Новиков В.П., Доманевский Д.С., Жоховец С.В., Иванов В.А., Стецик А.Н., Амбахер О., Гобш Г. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ СИНТЕЗ НИТРИДА ГАЛЛИЯ. НАУКА и ТЕХНИКА. 2003;(1):56-58.
Просмотров:
455
Послать статью по эл. почте 