Modeling of Spatial Inhomogeneity of Free Charge Carriers in Measuring Procedure of Their Local Concentration
Abstract
The paper presents results of the proposed generalized procedure in respect of measuring parameters of free charge carriers in the prescribed area of non-homogeneous object. It is shown that while solving measuring tasks on determination of their concentration non-homogeneous objects having boundaries between areas with various prevailing types of charge carriers can be modeled by division in body of interacting homogeneous areas. Realization of this model is executed by means of measuring procedure selection, identification of charge carrier type in the corresponding homogeneous area and taking measurements in accordance with the method which is based on the homogeneous object model.
References
1. Власов В. Е. и др. Системы технологического обеспечения качества компонентов микроэлектронной аппаратуры / В. Е. Власов, В. П. Захаров, А. И. Коробов; Под ред. А. И. Коробова. М.: Радио и связь, 1987. 160 с.
2. Брусиловский Л. П., Вайнберг А. Я. Приборы технологического контроля в молочной промышленности: Справ. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Агропромиздат, 1990.-288 с.
3. Грилихес М. С., Филановский Б. К. Контактная кондуктометрия: Теория и практика метода. Л.: Химия, 1980.176 с.
4. Воробьев Ю. В., Добровольский В. Н:, Стриха В. И. Методы исследования полупроводников / Киев: Выща шк., 1988. 232 с.
5. Кучис Е. В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990. 264 с.
6. Определение типа и концентрации растворов электролитов на основе анализа потенциодинамических кривых / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, В. П. Киреенко и др. // Вестник БНТУ. 2003. № 2. С. 48-53.
7. Влияние условий измерений на аномальный эффект Холла в /?-InAs / Г. Ю. Андерсен, О. К. Гусев, В. П. Киреенко и др. // Физика и техника полупроводников. 1991. -Т. 25, вып. 11. С. 1999-2002.
8. Джилавдари И. 3., Сидорик В. В. Физика в компьютерных моделях. Мн.: Пион, 1998. 248 с.
9. МИ 1317-96. Результаты и характеристики погрешности измерений: Формы представления: Способы использования при испытаниях образцов продукции и контроле их параметров. М.: Из-во стандартов, 1986.-29 с.
10. О природе низкотемпературной аномальной ин версии знака постоянной Холла в /?-InAs / О. К. Гусев, П. Киреенко, А. А. Ломтев, В. Б. Яржембицкий // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, вып. 6. 1153-1155.
11. Гусев О. К., Киреенко В. П., Яржембицкий В. Б. Аномальный фото-Холл-эффект в кристаллах p-InAs // Физика и техника полупроводников. 1992. Т. 26, вып. 6.-С. 1138-1139.
Review
For citations:
Gusev O.K. Modeling of Spatial Inhomogeneity of Free Charge Carriers in Measuring Procedure of Their Local Concentration. Science & Technique. 2004;(3):26-32. (In Russ.)
Views:
331
Email this article 