<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">sat</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">НАУКА и ТЕХНИКА</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Science &amp; Technique</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">2227-1031</issn><issn pub-type="epub">2414-0392</issn><publisher><publisher-name>Belarusian National Technical University</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">sat-1466</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ПРИБОРОСТРОЕНИЕ. ИНФОРМАТИКА</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>INSTRUMENT ENGINEERING. INFORMATICS</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Моделирование пространственной неоднородности свободных носителей заряда в процедуре измерений их локальной концентрации</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Modeling of Spatial Inhomogeneity of Free Charge Carriers in Measuring Procedure of Their Local Concentration</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Гусев</surname><given-names>О. К.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Gusev</surname><given-names>O. K.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Кандидат физико-математических наук, доцент</p></bio><email xlink:type="simple">sat@bntu.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Белорусский национальный технический университет</institution><country>Беларусь</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Belarusian National Technical University</institution><country>Belarus</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2004</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>29</day><month>06</month><year>2004</year></pub-date><volume>0</volume><issue>3</issue><fpage>26</fpage><lpage>32</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Гусев О.К., 2004</copyright-statement><copyright-year>2004</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Гусев О.К.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Gusev O.K.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://sat.bntu.by/jour/article/view/1466">https://sat.bntu.by/jour/article/view/1466</self-uri><abstract><p>Представлены результаты разработки обобщенной процедуры измерений параметров свободных носителей заряда в заданной области неоднородного объекта. Показано, что неоднородные объекты, имеющие границы раздела областей с различными превалирующими типами носителей заряда, при решении измерительных задач определения их концентрации могут моделироваться разбиением на совокупность взаимодействующих однородных областей. Реализация этой модели осуществляется посредством операций выбора режима измерений, идентификации типа носителей заряда в соответствующей ему однородной области и выполнения измерений по методу, основанному на модели однородного объекта. *</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The paper presents results of the proposed generalized procedure in respect of measuring parameters of free charge carriers in the prescribed area of non-homogeneous object. It is shown that while solving measuring tasks on determination of their concentration non-homogeneous objects having boundaries between areas with various prevailing types of charge carriers can be modeled by division in body of interacting homogeneous areas. Realization of this model is executed by means of measuring procedure selection, identification of charge carrier type in the corresponding homogeneous area and taking measurements in accordance with the method which is based on the homogeneous object model.</p></trans-abstract></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Власов В. Е. и др. Системы технологического обеспечения качества компонентов микроэлектронной аппаратуры / В. Е. Власов, В. П. Захаров, А. И. Коробов; Под ред. А. И. Коробова. М.: Радио и связь, 1987. 160 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Власов В. Е. и др. Системы технологического обеспечения качества компонентов микроэлектронной аппаратуры / В. Е. Власов, В. П. Захаров, А. И. Коробов; Под ред. А. И. Коробова. М.: Радио и связь, 1987. 160 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Брусиловский Л. П., Вайнберг А. Я. Приборы технологического контроля в молочной промышленности: Справ. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Агропромиздат, 1990.-288 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Брусиловский Л. П., Вайнберг А. Я. Приборы технологического контроля в молочной промышленности: Справ. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Агропромиздат, 1990.-288 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Грилихес М. С., Филановский Б. К. Контактная кондуктометрия: Теория и практика метода. Л.: Химия, 1980.176 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Грилихес М. С., Филановский Б. К. Контактная кондуктометрия: Теория и практика метода. Л.: Химия, 1980.176 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Воробьев Ю. В., Добровольский В. Н:, Стриха В. И. Методы исследования полупроводников / Киев: Выща шк., 1988. 232 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Воробьев Ю. В., Добровольский В. Н:, Стриха В. И. Методы исследования полупроводников / Киев: Выща шк., 1988. 232 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кучис Е. В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990. 264 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Кучис Е. В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990. 264 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Определение типа и концентрации растворов электролитов на основе анализа потенциодинамических кривых / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, В. П. Киреенко и др. // Вестник БНТУ. 2003. № 2. С. 48-53.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Определение типа и концентрации растворов электролитов на основе анализа потенциодинамических кривых / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, В. П. Киреенко и др. // Вестник БНТУ. 2003. № 2. С. 48-53.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Влияние условий измерений на аномальный эффект Холла в /?-InAs / Г. Ю. Андерсен, О. К. Гусев, В. П. Киреенко и др. // Физика и техника полупроводников. 1991. -Т. 25, вып. 11. С. 1999-2002.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Влияние условий измерений на аномальный эффект Холла в /?-InAs / Г. Ю. Андерсен, О. К. Гусев, В. П. Киреенко и др. // Физика и техника полупроводников. 1991. -Т. 25, вып. 11. С. 1999-2002.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Джилавдари И. 3., Сидорик В. В. Физика в компьютерных моделях. Мн.: Пион, 1998. 248 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Джилавдари И. 3., Сидорик В. В. Физика в компьютерных моделях. Мн.: Пион, 1998. 248 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">МИ 1317-96. Результаты и характеристики погрешности измерений: Формы представления: Способы использования при испытаниях образцов продукции и контроле их параметров. М.: Из-во стандартов, 1986.-29 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">МИ 1317-96. Результаты и характеристики погрешности измерений: Формы представления: Способы использования при испытаниях образцов продукции и контроле их параметров. М.: Из-во стандартов, 1986.-29 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">О природе низкотемпературной аномальной ин версии знака постоянной Холла в /?-InAs / О. К. Гусев, П. Киреенко, А. А. Ломтев, В. Б. Яржембицкий // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, вып. 6. 1153-1155.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">О природе низкотемпературной аномальной ин версии знака постоянной Холла в /?-InAs / О. К. Гусев, П. Киреенко, А. А. Ломтев, В. Б. Яржембицкий // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, вып. 6. 1153-1155.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Гусев О. К., Киреенко В. П., Яржембицкий В. Б. Аномальный фото-Холл-эффект в кристаллах p-InAs // Физика и техника полупроводников. 1992. Т. 26, вып. 6.-С. 1138-1139.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Гусев О. К., Киреенко В. П., Яржембицкий В. Б. Аномальный фото-Холл-эффект в кристаллах p-InAs // Физика и техника полупроводников. 1992. Т. 26, вып. 6.-С. 1138-1139.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
