Моделирование пространственной неоднородности свободных носителей заряда в процедуре измерений их локальной концентрации
Аннотация
Представлены результаты разработки обобщенной процедуры измерений параметров свободных носителей заряда в заданной области неоднородного объекта. Показано, что неоднородные объекты, имеющие границы раздела областей с различными превалирующими типами носителей заряда, при решении измерительных задач определения их концентрации могут моделироваться разбиением на совокупность взаимодействующих однородных областей. Реализация этой модели осуществляется посредством операций выбора режима измерений, идентификации типа носителей заряда в соответствующей ему однородной области и выполнения измерений по методу, основанному на модели однородного объекта. *
Об авторе
О. К. Гусев
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Беларусь
Кандидат физико-математических наук, доцент
Список литературы
1. Власов В. Е. и др. Системы технологического обеспечения качества компонентов микроэлектронной аппаратуры / В. Е. Власов, В. П. Захаров, А. И. Коробов; Под ред. А. И. Коробова. М.: Радио и связь, 1987. 160 с.
2. Брусиловский Л. П., Вайнберг А. Я. Приборы технологического контроля в молочной промышленности: Справ. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Агропромиздат, 1990.-288 с.
3. Грилихес М. С., Филановский Б. К. Контактная кондуктометрия: Теория и практика метода. Л.: Химия, 1980.176 с.
4. Воробьев Ю. В., Добровольский В. Н:, Стриха В. И. Методы исследования полупроводников / Киев: Выща шк., 1988. 232 с.
5. Кучис Е. В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990. 264 с.
6. Определение типа и концентрации растворов электролитов на основе анализа потенциодинамических кривых / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, В. П. Киреенко и др. // Вестник БНТУ. 2003. № 2. С. 48-53.
7. Влияние условий измерений на аномальный эффект Холла в /?-InAs / Г. Ю. Андерсен, О. К. Гусев, В. П. Киреенко и др. // Физика и техника полупроводников. 1991. -Т. 25, вып. 11. С. 1999-2002.
8. Джилавдари И. 3., Сидорик В. В. Физика в компьютерных моделях. Мн.: Пион, 1998. 248 с.
9. МИ 1317-96. Результаты и характеристики погрешности измерений: Формы представления: Способы использования при испытаниях образцов продукции и контроле их параметров. М.: Из-во стандартов, 1986.-29 с.
10. О природе низкотемпературной аномальной ин версии знака постоянной Холла в /?-InAs / О. К. Гусев, П. Киреенко, А. А. Ломтев, В. Б. Яржембицкий // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, вып. 6. 1153-1155.
11. Гусев О. К., Киреенко В. П., Яржембицкий В. Б. Аномальный фото-Холл-эффект в кристаллах p-InAs // Физика и техника полупроводников. 1992. Т. 26, вып. 6.-С. 1138-1139.
Рецензия
Для цитирования:
Гусев О.К. Моделирование пространственной неоднородности свободных носителей заряда в процедуре измерений их локальной концентрации. НАУКА и ТЕХНИКА. 2004;(3):26-32.
For citation:
Gusev O.K. Modeling of Spatial Inhomogeneity of Free Charge Carriers in Measuring Procedure of Their Local Concentration. Science & Technique. 2004;(3):26-32. (In Russ.)
Просмотров:
315
Послать статью по эл. почте 