<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">sat</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">НАУКА и ТЕХНИКА</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Science &amp; Technique</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">2227-1031</issn><issn pub-type="epub">2414-0392</issn><publisher><publisher-name>Belarusian National Technical University</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">sat-762</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>МЕТАЛЛУРГИЯ. МЕТАЛЛООБРАБОТКА. МАШИНОСТРОЕНИЕ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>METALLURGY. МЕТАL WORKING. MECHANICAL ENGINEERING</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ПОЛУЧЕНИЕ СЛОИСТЫХ НАНОПОКРЫТИЙ НА АЛМАЗНЫХ ПОРОШКАХ В ПЛАНАРНОМ МАГНЕТРОНЕ</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>OBTAINING LAYER NANO-COATINGS ON DIAMOND POWDERS IN PLANAR MAGNETRON</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Ковалевский</surname><given-names>В. Н.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kovalevsky</surname><given-names>V. N.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Доктор технических наук, профессор</p></bio><email xlink:type="simple">sat@bntu.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Фомихина</surname><given-names>И. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Fomikhina</surname><given-names>I. V.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">sat@bntu.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Ковалевская</surname><given-names>А. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kovalevskaya</surname><given-names>A. V.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">sat@bntu.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Григорьев</surname><given-names>С. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Grigoriev</surname><given-names>S. V.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">sat@bntu.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Жук</surname><given-names>А. Е.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Zhuk</surname><given-names>A. E.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">sat@bntu.by</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Белорусский национальный технический университет</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Belarusian National Technical University</institution></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2008</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>06</day><month>10</month><year>2008</year></pub-date><volume>0</volume><issue>5</issue><fpage>40</fpage><lpage>46</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Ковалевский В.Н., Фомихина И.В., Ковалевская А.В., Григорьев С.В., Жук А.Е., 2008</copyright-statement><copyright-year>2008</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Ковалевский В.Н., Фомихина И.В., Ковалевская А.В., Григорьев С.В., Жук А.Е.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Kovalevsky V.N., Fomikhina I.V., Kovalevskaya A.V., Grigoriev S.V., Zhuk A.E.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://sat.bntu.by/jour/article/view/762">https://sat.bntu.by/jour/article/view/762</self-uri><abstract><p>Представлены результаты исследований по оценке влияния технологических параметров распыления композиционных катодов в планарной магнетронной распылительной системе на структурообразование и свойства слоистых нанопокрытий (Si + C) алмазных микропорошков. В нанослое (до 20 нм) из смеси атомов или кластеров Si + C с аморфной структурой, обработанной плазмой тлеющего разряда, протекала реакция образования α-SiC. Слоистое покрытие получали последующим нанесением на этот слой Si + C заданной толщины (до 300 нм) и Аl (10 нм), а также наружного слоя из пиролитического углерода. Покрытие обеспечивало защиту алмаза от графитации при нагреве и формирование карбидокремниевой матрицы. Композит «алмаз – карбид кремния», полученный на основе алмазных порошков со слоистым покрытием методом пропитки жидким кремнием и реакционного спекания, обладает повышенными свойствами.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The paper presents investigation results concerning evaluation of influence of technological parameters of composite cathode spraying in a planar magnetron spraying system on structure formation  and properties of layer nano-coatings (Si + C) of diamond micro-powders. a-SiC formation reaction was proceeding in the nano-layer (up to 20nm) presenting  Si + C atom  or cluster mixture of  amorphous structure being treated with glow-discharge plasma. The layer coating has been obtained as a result of subsequent deposition on it the following elements: Si + C and Al of the given thickness (up to 300nm  and 10nm, respectively) and also outside layer of pyrolytic carbon. The coating has ensured diamond protection against graphitation while heating and formation of carbide-silicon matrix. The composite of silicon diamond-carbide obtained on the basis of diamond powders with a layer coating with the help of  a method that presupposes impregnation with liquid silicon and reaction sintering  is characterized by improved properties.</p></trans-abstract></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Гордеев, С. К. Композиты алмаз – карбид кремния, новые сверхтвердые конструкционные материалы для машиностроения / С. К. Гордеев // Вопросы материаловедения. – 2001. – № 3. – С. 31–40.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Гордеев, С. К. Композиты алмаз – карбид кремния, новые сверхтвердые конструкционные материалы для машиностроения / С. К. Гордеев // Вопросы материаловедения. – 2001. – № 3. – С. 31–40.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Особенности получения композиционных материалов алмаз – карбид кремния – кремний при низких давлениях / С. К. Гордеев [и др.] // Неорганические материалы. – 2001. – Т. 37, № 6. – С. 691–696.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Особенности получения композиционных материалов алмаз – карбид кремния – кремний при низких давлениях / С. К. Гордеев [и др.] // Неорганические материалы. – 2001. – Т. 37, № 6. – С. 691–696.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Структурообразование карбидокремниевой матрицы в композиции алмаз – карбид кремния / В. Н. Ковалевский [и др.] // Огнеупоры и техническая керамика. – 2005. – № 5. – С. 8–14.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Структурообразование карбидокремниевой матрицы в композиции алмаз – карбид кремния / В. Н. Ковалевский [и др.] // Огнеупоры и техническая керамика. – 2005. – № 5. – С. 8–14.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Моделирование и расчет параметров электрического разряда в планарном магнетроне / С. Г. Клопов [и др.] // Изв. РАН. Серия Физическая. – 2006. – Т. 70, № 8. – С. 1204–1209.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Моделирование и расчет параметров электрического разряда в планарном магнетроне / С. Г. Клопов [и др.] // Изв. РАН. Серия Физическая. – 2006. – Т. 70, № 8. – С. 1204–1209.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Устройство для получения металлических покрытий в вакууме : а. с. 1632089 СССР, МКИ С23С14/38 / Б. Л. Фигурин, В. И. Рулинский, И. М. Григорович. – № 4704940 ; заявл. 14.06.09 ; опубл. 28.02.90 // Открытия. Изобретения. – 1990. – № 8. – 198 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Устройство для получения металлических покрытий в вакууме : а. с. 1632089 СССР, МКИ С23С14/38 / Б. Л. Фигурин, В. И. Рулинский, И. М. Григорович. – № 4704940 ; заявл. 14.06.09 ; опубл. 28.02.90 // Открытия. Изобретения. – 1990. – № 8. – 198 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Плешивцнев, Н. В. Катодное распыление / Н. В. Плешивцнев. – М.: Атомиздат, 1968. – 343 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Плешивцнев, Н. В. Катодное распыление / Н. В. Плешивцнев. – М.: Атомиздат, 1968. – 343 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Гусев, Г. А. Тлеющий разряд в технологии ЭВП / Г. А. Гусев. – М. : ЦНИИэлектроники, 1980. – 38 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Гусев, Г. А. Тлеющий разряд в технологии ЭВП / Г. А. Гусев. – М. : ЦНИИэлектроники, 1980. – 38 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
