satНАУКА и ТЕХНИКАScience & Technique2227-10312414-0392Belarusian National Technical Universitysat-333Research ArticleНАНОТЕХНОЛОГИИ И НАНОМАТЕРИАЛЫNANOTECHNOLOGY AND NANOMATERIALSВЛИЯНИЕ ИМПУЛЬСНОГО ФОТОННОГО ОТЖИГА НА СТРУКТУРУ И ФАЗОВЫЙ СОСТАВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВIMPULSE PHOTON ANNEALING EFFECT ON STRUCTURE AND PHASE COMPOSITION OF THIN FILM SYSTEMS ON BASIS OF SILICON AND TRANSITION METALSМаркевичМ. И.MarkevichM. I.

Доктор физико-математических наук

sat@bntu.byЧаплановА. М.ChaplanovA. M.

Доктор физико-математических наук, профессор

sat@bntu.byЩербаковаЕ. Н.ShcherbakovaE. N.

Кандидат физико-математических наук

sat@bntu.byБелорусский национальный технический университетБеларусьBelarusian National Technical UniversityBelarusФизико-технический институт НАН БеларусиБеларусьPhysical-Engineering Institute of the NAS of BelarusBelarus201210102012051316Copyright © Маркевич М.И., Чапланов А.М., Щербакова Е.Н., 20122012Маркевич М.И., Чапланов А.М., Щербакова Е.Н.Markevich M.I., Chaplanov A.M., Shcherbakova E.N.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://sat.bntu.by/jour/article/view/333

Методами просвечивающей электронной микроскопии, электронографии и энергодисперсионного рентгеновского микроанализа проведены исследования элементного состава, закономерностей структурных и фазовых превращений, происходящих в тонкопленочных системах Si–Fe–Si и TiN–Ti–Si при импульсном фотонном отжиге в зависимости от плотности энергии облучения. Определены оптимальные параметры импульсного фотонного отжига для формирования на кремнии тонких пленок FeSi2 β-модификации и TiSi2 в модификации C54.

The present paper investigates element composition,  regularities of structural and phase transformations in Si–Fe–Si and TiN–Ti–Si thin film systems in the process of impulse photon annealing depending on radiation energy density while applying such methods as transmission  electron microscopy, electron  diffraction analysis and energy dispersive x-ray microanalysis. Optimum characteristics of impulse photon annealing for formation FeSi2 thin films of β-modification on silicon and TiSi2 films in C54 modification have been determined in the paper.

ReferencesCинтез пленок TiSi2 в процессе вакуумной конденсации и методом импульсной фотонной обработки / В. М. Иевлев [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2009. – Т. 11, № 3. – С. 216–220.Cинтез пленок TiSi2 в процессе вакуумной конденсации и методом импульсной фотонной обработки / В. М. Иевлев [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2009. – Т. 11, № 3. – С. 216–220.Ion beam synthesized silicides: growth, characterization and devices / K. Homewood [et al.] // Thin Solid Films. – 2001. – Vol. 381, Issue 2. – P. 188–193.Ion beam synthesized silicides: growth, characterization and devices / K. Homewood [et al.] // Thin Solid Films. – 2001. – Vol. 381, Issue 2. – P. 188–193.Experimental investigation of the band edge anisotropy of the b-FeSi2 semiconductor / M. Marinova [et al.] // Solid State Sciences. – 2008. – Vol. 10. – Р. 1369–1373.Experimental investigation of the band edge anisotropy of the b-FeSi2 semiconductor / M. Marinova [et al.] // Solid State Sciences. – 2008. – Vol. 10. – Р. 1369–1373.Исследование сверхтонких пленок силицида железа, выращенных твердофазной эпитаксией на поверхности Si (001) / В. В. Балашев [и др.] // Физика твердого тела. – 2010. – Т. 52, вып. 2. – С. 370–376.Исследование сверхтонких пленок силицида железа, выращенных твердофазной эпитаксией на поверхности Si (001) / В. В. Балашев [и др.] // Физика твердого тела. – 2010. – Т. 52, вып. 2. – С. 370–376.Формирование резистивных свойств двухфазных систем полупроводник – металл на основе FeSi1+x при малых отклонениях от стехиометрии / А. А. Повзнер [и др.] // ЖТФ. – 2001. – Т. 71, вып. 8. – С. 109–111.Формирование резистивных свойств двухфазных систем полупроводник – металл на основе FeSi1+x при малых отклонениях от стехиометрии / А. А. Повзнер [и др.] // ЖТФ. – 2001. – Т. 71, вып. 8. – С. 109–111.Пилипенко, В. А. Быстрые термообработки в технологии СБИС / В. А. Пилипенко. – Минск : Издательский центр БГУ, 2004. – 531 с.Пилипенко, В. А. Быстрые термообработки в технологии СБИС / В. А. Пилипенко. – Минск : Издательский центр БГУ, 2004. – 531 с.Электрофизические и механические свойства дисилицида титана, полученного с применением быстрой термообработки / В. А. Пилипенко [и др.] // Вестник БГУ. – 2001. – Сер. 1. – № 2. – С. 43.Электрофизические и механические свойства дисилицида титана, полученного с применением быстрой термообработки / В. А. Пилипенко [и др.] // Вестник БГУ. – 2001. – Сер. 1. – № 2. – С. 43.Борисенко, В. Е. Твердофазные процессы в полу-проводниках при импульсном нагреве / В. Е. Борисенко. – Минск : Наука и техника, 1992. – 247 с.Борисенко, В. Е. Твердофазные процессы в полу-проводниках при импульсном нагреве / В. Е. Борисенко. – Минск : Наука и техника, 1992. – 247 с.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.