satНАУКА и ТЕХНИКАScience & Technique2227-10312414-0392Belarusian National Technical Universitysat-191Research ArticleПРИБОРОСТРОЕНИЕ, МЕТРОЛОГИЯ И ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫINSTRUMENTATION ENGINEERING, METROLOGY AND INFORMATION MEASURING INSTRUMENTS AND SYSTEMSМЕТОДЫ АВТОМАТИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ТОПОЛОГИИ ПЛАНАРНЫХ СТРУКТУР ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИMETHODS FOR AUTOMATIC CONTROL OF PLANAR STRUCTURE LAYOUT PERTAINING TO ELECTRONICS TECHNOLOGIES PRODUCTSАваковС. М.AvakawS. M.

Доктор технических наук

sat@bntu.byДрогунЕ. А.DrogunE. A.

Доктор технических наук

sat@bntu.byРусецкийВ. А.RusetskiV. A.sat@bntu.byТиткоД. С.TitkoD. S.sat@bntu.byТиткоЕ. А.TitkoE. A.sat@bntu.byШоломицкийВ. Г.SholomitskiV. G.sat@bntu.byНаучно-производственное республиканское унитарное предприятие «КБТЭМ-ОМО»Belarus201325062013031116Copyright © Аваков С.М., Дрогун Е.А., Русецкий В.А., Титко Д.С., Титко Е.А., Шоломицкий В.Г., 20132013Аваков С.М., Дрогун Е.А., Русецкий В.А., Титко Д.С., Титко Е.А., Шоломицкий В.Г.Avakaw S.M., Drogun E.A., Rusetski V.A., Titko D.S., Titko E.A., Sholomitski V.G.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://sat.bntu.by/jour/article/view/191

Приводится описание существующих методов автоматического контроля топологии планарных структур изделий микро- и наноэлектроники, других изделий электронной техники, дается их классификация. На основании анализа факторов, влияющих на принятие решения о выборе метода контроля топологии, определяется алгоритм выбора метода в зависимости от характеристик контролируемого объекта и условий контроля. Описанный алгоритм предназначен для использования при проектировании оборудования для автоматического контроля топологии планарных структур на фотошаблонах, полупроводниковых пластинах, печатных платах высокой плотности монтажа.

 

The given paper contains description of existing methods for automatic control of planar structure layout pertaining to products of micro- and nanoelectronics and other electronic technologies products and their classification. An algorithm of method selection is based on the analysis of  factors influencing on method preference and depends on characteristics of an object to be controlled and controlling conditions. The described algorythm is to be applied in the process of designing the equipment for automatic control of planar structure layout on  photographic masks, semiconductor wafers, printed-circuit boards with high-density assembly.

 

ReferencesResults from a new die-to-database reticle inspection platform / W. Broadbent [еt al.] // SPIE. – 2007. – Vol. 6518. – Р. 1–14.Results from a new die-to-database reticle inspection platform / W. Broadbent [еt al.] // SPIE. – 2007. – Vol. 6518. – Р. 1–14.Avakaw, S. A prospective modular platform of the mask pattern automatic inspection using the die-to-database method / S. Avakaw, A. Korneliuk, A. Tsitko // SPIE. – 2005. – Vol. 5853. – Р. 965–976.Avakaw, S. A prospective modular platform of the mask pattern automatic inspection using the die-to-database method / S. Avakaw, A. Korneliuk, A. Tsitko // SPIE. – 2005. – Vol. 5853. – Р. 965–976.Attenuated phase-shift mask with high tolerance for 193-nm radiation damage / T. Yamazaki [еt al.] // Bacus News. – 2012. – Vol. 28, Issue 3. – Р. 1–10.Attenuated phase-shift mask with high tolerance for 193-nm radiation damage / T. Yamazaki [еt al.] // Bacus News. – 2012. – Vol. 28, Issue 3. – Р. 1–10.Introduction to the KLA-331 Next Generation Reticle Inspection System / M. Brandemuehl [еt al.] //Introduction to the KLA-331 Next Generation Reticle Inspection System / M. Brandemuehl [еt al.] //Bacus News. – 1992. – Vol. 8, Issue 9. – Р. 1–8.Bacus News. – 1992. – Vol. 8, Issue 9. – Р. 1–8.Baliga, J. Defect Detection on Patterned Wafers / J. Baliga // Semiconductor International. – 1997. – № 5. – Р. 12–15.Baliga, J. Defect Detection on Patterned Wafers / J. Baliga // Semiconductor International. – 1997. – № 5. – Р. 12–15.Kalk, F. Pinhole Defect Detection and Printability Prediction / F. Kalk, A. Vacca, P. Radcliff // SPIE. – 1996. –Vol. 2884. – Р. 104–112.Kalk, F. Pinhole Defect Detection and Printability Prediction / F. Kalk, A. Vacca, P. Radcliff // SPIE. – 1996. –Vol. 2884. – Р. 104–112.Van Den Broeke, D. Detectability of phathe defects on phase shift masks using an Orbot RT 8000 / D. Van Den Broeke // BACUS. – 1997. – Vol. 13, Issue 3. – Р. 1, 4–8.Van Den Broeke, D. Detectability of phathe defects on phase shift masks using an Orbot RT 8000 / D. Van Den Broeke // BACUS. – 1997. – Vol. 13, Issue 3. – Р. 1, 4–8.Shedding Light on EUV Mask Inspection / K. Seki [еt al.] // Bacus News. – 2012. – Vol. 28, Issue 9. – Р. 1–11.Shedding Light on EUV Mask Inspection / K. Seki [еt al.] // Bacus News. – 2012. – Vol. 28, Issue 9. – Р. 1–11.Unpatterned surface inspection for next-generation devices / H. Altendorfer [еt al.] // Solid State Technology. – 1996. – № 8. – Р. 264–266.Unpatterned surface inspection for next-generation devices / H. Altendorfer [еt al.] // Solid State Technology. – 1996. – № 8. – Р. 264–266.Correcting Image Placement Errors Using Registration Control Technology In The Photomask Periphery / A. Cohen [еt al.] // Bacus News. – 2012. – Vol. 28, Issue 5. – Р. 1–8.Correcting Image Placement Errors Using Registration Control Technology In The Photomask Periphery / A. Cohen [еt al.] // Bacus News. – 2012. – Vol. 28, Issue 5. – Р. 1–8.Guo, E. Simulation Based Mask Defect Printability Verification and Disposition / E. Guo, I. Shi // SPIE. – 2011. – Vol. 8166. – Р. D1–D8.Guo, E. Simulation Based Mask Defect Printability Verification and Disposition / E. Guo, I. Shi // SPIE. – 2011. – Vol. 8166. – Р. D1–D8.Badger, K. D. Illuminating EUVL Mask Defect Printability / K. D. Badger, Z. J. Qi, E. Gallagher // SPIE. – 2012. – Vol. 8522. – Р. I1–I5.Badger, K. D. Illuminating EUVL Mask Defect Printability / K. D. Badger, Z. J. Qi, E. Gallagher // SPIE. – 2012. – Vol. 8522. – Р. I1–I5.Introduction to the KLA 331 Next Generation Reticle Inspection System / M. Brandemuehl [еt al.] // Bacus News. – 1992. – Vol. 8, Issue 9. – Р. 1, 4–8.Introduction to the KLA 331 Next Generation Reticle Inspection System / M. Brandemuehl [еt al.] // Bacus News. – 1992. – Vol. 8, Issue 9. – Р. 1, 4–8.The Use of KLA-Tencor STARlight SL300 for In-Process Contamination Inspection to Control Reticle Defect Densities / D. Dutton [еt al.] // SPIE. – 1998. – Vol. 3546. –Р. 132–138.The Use of KLA-Tencor STARlight SL300 for In-Process Contamination Inspection to Control Reticle Defect Densities / D. Dutton [еt al.] // SPIE. – 1998. – Vol. 3546. –Р. 132–138.Avakaw, S. M. High productivity object-oriented defect detection algorithms for the new modular die-to-database reticle inspection platform / S. M. Avakaw // SPIE. – 2005. – Vol. 5835. – Р. 290–299.Avakaw, S. M. High productivity object-oriented defect detection algorithms for the new modular die-to-database reticle inspection platform / S. M. Avakaw // SPIE. – 2005. – Vol. 5835. – Р. 290–299.Способ контроля дефектности первичных шаблонов : пат. 8893 Респ. Беларусь, МПК 7 G 06K 9/00 / А. И. Корнелюк, С. М. Аваков ; заявитель Науч.-производ. республ. унит. предпр. «КБТЭМ-ОМО». – № а 20040821; заявл. 31.08.2004; опубл. 28.02.2007 // Афiц. бюл. Вынаходствы. Карысныя мадэлi. Прамысловыя узоры / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасти. – 2007. – № 1. – С. 127.Способ контроля дефектности первичных шаблонов : пат. 8893 Респ. Беларусь, МПК 7 G 06K 9/00 / А. И. Корнелюк, С. М. Аваков ; заявитель Науч.-производ. республ. унит. предпр. «КБТЭМ-ОМО». – № а 20040821; заявл. 31.08.2004; опубл. 28.02.2007 // Афiц. бюл. Вынаходствы. Карысныя мадэлi. Прамысловыя узоры / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасти. – 2007. – № 1. – С. 127.Способ контроля дефектности первичных шаблонов : пат. 9175 Респ. Беларусь, МПК 7 G 06K 9/00 А. И. Кор-нелюк, С. М. Аваков; заявитель Науч.-производ. республ. унит. предпр. «КБТЭМ-ОМО». – № а 20040985; заявл. 26.10.2004; опубл. 30.04.2007 // Афiц. бюл. Вынаходствы. Карысныя мадэлi. Прамысловыя узоры / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасти. – 2007. – № 2. – С. 156–157.Способ контроля дефектности первичных шаблонов : пат. 9175 Респ. Беларусь, МПК 7 G 06K 9/00 А. И. Кор-нелюк, С. М. Аваков; заявитель Науч.-производ. республ. унит. предпр. «КБТЭМ-ОМО». – № а 20040985; заявл. 26.10.2004; опубл. 30.04.2007 // Афiц. бюл. Вынаходствы. Карысныя мадэлi. Прамысловыя узоры / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасти. – 2007. – № 2. – С. 156–157.SEMI 23-93 Guidelines for Programmed Defect Masks and Benchmark Procedures for Sensitivity Analysis of Mask Defect Inspection Systems. – SEMI. – 1993, 1995.SEMI 23-93 Guidelines for Programmed Defect Masks and Benchmark Procedures for Sensitivity Analysis of Mask Defect Inspection Systems. – SEMI. – 1993, 1995.Extending TeraStar reticle inspection capability to the 90 nm node through layer specific algorithms / M. Rudzinsky [et al.] // VDE/VDI Gesellschaft Mikroelektronik GMM Fachbericht. – 2003. – № 39. – P. 159–167.Extending TeraStar reticle inspection capability to the 90 nm node through layer specific algorithms / M. Rudzinsky [et al.] // VDE/VDI Gesellschaft Mikroelektronik GMM Fachbericht. – 2003. – № 39. – P. 159–167.Optimized inspection of advanced reticles on the TeraScan reticle inspection tool / A. Dayal [et al.] // SPIE. – 2005. – № 5992. – P. 45-1–45-11.Optimized inspection of advanced reticles on the TeraScan reticle inspection tool / A. Dayal [et al.] // SPIE. – 2005. – № 5992. – P. 45-1–45-11.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.