satНАУКА и ТЕХНИКАScience & Technique2227-10312414-0392Belarusian National Technical Universitysat-115Research ArticleЭЛЕКТРОНИКАELECTRONICSВЛИЯНИЕ ИМПУЛЬСНОГО ФОТОННОГО ОТЖИГА НА СТРУКТУРУ И ФАЗОВЫЙ СОСТАВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВINFLUENCE OF IMPULSE PHOTON ANNEALING ON STRUCTURE AND PHASE COMPOSITION OF THIN-FILMED SYSTEMS ON BASIS OF SILICON AND TRANSITION METALSМаркевичМ. И.MarkevichM. I.

Доктор физико-математических наук, доцент

sat@bntu.byЧаплановА. М.ChaplanovA. M.

Доктор физико-математических наук, профессор

sat@bntu.byЩербаковаУ. Н.ScherbakovaE. N.

Кандидат физико-математических наук

sat@bntu.byБелорусский национальный технический университетБеларусьBelarusian National Technical UniversityBelarusФизико-технический институт НАН БеларусиБеларусьPhysical-Engineering Institute of the NAS of BelarusBelarus201325042013026366Copyright © Маркевич М.И., Чапланов А.М., Щербакова У.Н., 20132013Маркевич М.И., Чапланов А.М., Щербакова У.Н.Markevich M.I., Chaplanov A.M., Scherbakova E.N.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://sat.bntu.by/jour/article/view/115

Методами просвечивающей электронной микроскопии, электронографии и энергодисперсионного рентгеновского микроанализа проведены исследования элементного состава, закономерностей  структурных и фазовых  превращений,  происходящих в  тонкопленочных  системах Si–Fe–Si и TiN–Ti–Si при импульсном фотонном отжиге в зависимости от плотности энергии облучения. Определены оптимальные параметры импульсного фотонного отжига для формирования на кремнии тонких пленок FeSi2 β-модификации и TiSi2 в модификации C54.

Methods of transmission electronic microscopy, electron diffraction, energy dispersive X-ray microanalysis have been used for investigations of element composition, regularities in structural and phase transmissions occurring in thin-filmed systems Si–Fe–Si and TiN–Ti–Si while using impulse photon annealing in terms of radiation energy density. Optimum parameters of impulse photon annealing for formation of β-FeSi2 and C54-TiSi2 thin films on silicon have been determined in the paper.

ReferencesCинтез пленок TiSi2 в процессе вакуумной конденсации и методом импульсной фотонной обработки / В. М. Иевлев [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2009. – Т. 11, № 3. – С. 216–220.Cинтез пленок TiSi2 в процессе вакуумной конденсации и методом импульсной фотонной обработки / В. М. Иевлев [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2009. – Т. 11, № 3. – С. 216–220.Ion beam synthesized silicides: growth, characterization and devices / K. Homewood [et al.] // Thin Solid Films. – 2001. – Vol. 381, Issue 2. – P. 188–193.Ion beam synthesized silicides: growth, characterization and devices / K. Homewood [et al.] // Thin Solid Films. – 2001. – Vol. 381, Issue 2. – P. 188–193.Experimental investigation of the band edge anisotropy of the b-FeSi2 semiconductor / M. Marinova [et al.] // Solid State Sciences. – 2008. – Vol. 10. – Р. 1369–1373.Experimental investigation of the band edge anisotropy of the b-FeSi2 semiconductor / M. Marinova [et al.] // Solid State Sciences. – 2008. – Vol. 10. – Р. 1369–1373.Исследование сверхтонких пленок силицида железа, выращенных твердофазной эпитаксией на поверхности Si (001) / В. В. Балашев [и др.] // Физика твердого тела. – 2010. – Т. 52, вып. 2. – С. 370–376.Исследование сверхтонких пленок силицида железа, выращенных твердофазной эпитаксией на поверхности Si (001) / В. В. Балашев [и др.] // Физика твердого тела. – 2010. – Т. 52, вып. 2. – С. 370–376.Формирование резистивных свойств двухфазных систем полупроводник – металл на основе FeSi1+x при малых отклонениях от стехиометрии / А. А. Повзнер [и др.] // ЖТФ. – 2001. – Т. 71, вып. 8. – С. 109–111.Формирование резистивных свойств двухфазных систем полупроводник – металл на основе FeSi1+x при малых отклонениях от стехиометрии / А. А. Повзнер [и др.] // ЖТФ. – 2001. – Т. 71, вып. 8. – С. 109–111.Пилипенко, В. А. Быстрые термообработки в технологии СБИС / В. А. Пилипенко. – Минск : Издательский центр БГУ, 2004. – 531 с.Пилипенко, В. А. Быстрые термообработки в технологии СБИС / В. А. Пилипенко. – Минск : Издательский центр БГУ, 2004. – 531 с.Электрофизические и механические свойства дисилицида титана, полученного с применением быстрой термообработки / В. А. Пилипенко [и др.] // Вестник БГУ. – 2001. – Сер. 1. – № 2. – С. 43.Электрофизические и механические свойства дисилицида титана, полученного с применением быстрой термообработки / В. А. Пилипенко [и др.] // Вестник БГУ. – 2001. – Сер. 1. – № 2. – С. 43.Борисенко, В. Е. Твердофазные процессы в полу-проводниках при импульсном нагреве / В. Е. Борисенко. – Минск : Наука и техника, 1992. – 247 с.Борисенко, В. Е. Твердофазные процессы в полу-проводниках при импульсном нагреве / В. Е. Борисенко. – Минск : Наука и техника, 1992. – 247 с.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.