ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ПРИ РЕЗКЕ СЛИТКОВ НА ПЛАСТИНЫ

Полный текст:


Аннотация

Представлены сравнительные результаты использования резки монокристаллического кремния алмазным кругом с внутренней режущей кромкой (АКВР) и  многопроволочной резки. Показано, что по проценту выхода годных пластин использование метода многопроволочной резки не уступает методу резки кругами АКВР, а по фактическому расходу кремния на одну пластину превосходит метод дисковой резки. Процесс многопроволочной резки характеризуется высокой точностью, воспроизводимостью, производительностью и обеспечивает существенную экономию дорогостоящего монокристаллического кремния.

 


Об авторах

В. К. Шелег
Белорусский национальный технический университет

Доктор технических наук, профессор



А. Е. Корзун
Белорусский национальный технический университет


С. Э. Крайко
Белорусский национальный технический университет


Список литературы

1. Особенности обработки пластин кремния большого диаметра / С. В. Петров [и др.] // Электронная промышленность. – 2003. – № 3. – С. 24–32.

2. Повышение эффективности резки слитков монокристаллов на пластины / Н. А. Большаков [и др.] // Электронная промышленность. – 2003. – № 3. – С. 139–146.

3. Готра, З. Ю. Технология микроэлектронных устройств: справ. / З. Ю. Готра. – М. : Радио и связь, 1991. – 528 с.

4. Запорожский, В. П. Обработка полупроводниковых материалов / В. П. Запорожский, Б. А. Лапшинов. – М. : Высш. шк., 1988. – 184 с.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Шелег В.К., Корзун А.Е., Крайко С.Э. ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ПРИ РЕЗКЕ СЛИТКОВ НА ПЛАСТИНЫ. НАУКА и ТЕХНИКА. 2009;(2):20-25.

For citation: Sheleg V.K., Korzun A.E., Kraiko S.E. HIGHER EFFICIENCY IN USAGE OF MONO-CRYSTAL SILICON WHILE CUTTING INGOTS IN PLATES. Science & Technique. 2009;(2):20-25. (In Russ.)

Просмотров: 136

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.

ISSN 2227-1031 (Print)
ISSN 2414-0392 (Online)