ТЕМПЕРАТУРНО-ЗАВИСИМАЯ МОДЕЛЬ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ РЕЗИСТОРОВ СУБМИКРОННЫХ БИПОЛЯРНЫХ БИС

Полный текст:


Аннотация

Приведены результаты исследования основных характеристик библиотеки интегральных резисторов (ИР) различных типов в диапазоне температур (–70)–(+150) °С и токов 10–6–10–2 А. Представлена температурозависимая модель ИР, анализ которой позволяет объяснить наблюдаемые экспериментальные зависимости и разработать конкретные рекомендации по расчету и применению ИР в составе ИС.


Об авторах

А. И. Белоус
Белмикросистемы

Доктор технических наук, профессор



И. Е. Зуйков
Белорусский национальный технический университет

Доктор физико-математических наук, профессор




В. С. Сякерский
Белмикросистемы


Д. А. Русакевич
Белорусский национальный технический университет

Кандидат технических наук



Список литературы

1. Перельман, Б. Л. Температурная зависимость коэффициента передачи тока кремниевых планарных транзисторов при малых уровнях инжекции / Б. Л. Перельман, В. Н. Придорогин // Полупроводниковые приборы и их применение / под. ред. В. А. Федотова. – М. : Сов. радио, 1970. – Вып. 24. – С. 13–26.

2. Twirdds, V. Accurate analysis of temperature effects Ic-UBF characteristics with application to bandgap of reference sources / V. Twirdds // J. IEEE on Solid-State Circuits. – 1980. – Vol. 15, № 6. – P. 1076–1083.

3. Малиновская, Е. В. Расчет сопротивления пинч-резистора / Е. В. Малиновская, Ю. А. Малышев // Электронная техника. Сер. 3: Микроэлектроника. – 1980. – Вып. 3. – С. 20–27.

4. Shenk, S. Li. The dopant density and temperature dependence of hole mobility and resistivity in boron doped silicon / S. Li. Shenk // Solid – State Electronics. – 1978. – Vol. 21, № 9. – P. 1109–1117.

5. Тиходеев, Ю. С. К вопросу о механизме пробоя р-n-переходов в полупроводниках / Ю. С. Тиходеев, А. Ф. Трутко // Электронная техника. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. – 1968. – Вып. 1. – С. 112–138.

6. Kajiyama, К. Temperature dependence of avalanche breakdown voltage in Si p-n-junctions / К. Kajiyama // J. Appl. Phys. – 1976. – Vol. 47, № 6. – P. 2744–2745.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Белоус А.И., Зуйков И.Е., Сякерский В.С., Русакевич Д.А. ТЕМПЕРАТУРНО-ЗАВИСИМАЯ МОДЕЛЬ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ РЕЗИСТОРОВ СУБМИКРОННЫХ БИПОЛЯРНЫХ БИС. НАУКА и ТЕХНИКА. 2012;(2):24-28.

For citation: Belous A., Zuikov I., Siakersky V., Rusakievich D. TEMPERATURE-DEPENDENT MODEL OF ION-ALLOYED RESISTORS OF SUB-MICRON BIPOLAR AIS. Science & Technique. 2012;(2):24-28. (In Russ.)

Просмотров: 169

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.

ISSN 2227-1031 (Print)
ISSN 2414-0392 (Online)