ЗАКОНОМЕРНОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ SiC В АЛМАЗОСОДЕРЖАЩЕЙ КОМПОЗИЦИИ ПРИ НИЗКИХ ДАВЛЕНИЯХ


DOI: http://dx.doi.org/10.21122/2227-1031-2007-0-4-27-31

Полный текст:


Аннотация

Результаты экспериментальных исследований процесса структурообразования при низких давлениях композита «алмаз – карбид кремния», полученного пропиткой жидким кремнием пористой заготовки из кристаллов алмаза с нанопокрытиями, позволили установить следующие закономерности протекания процесса реакционного спекания в покрытии и композиционном материале: вакуумное магнетронное распыление композиционных катодов приводит к формированию нанопокрытия из смеси атомов или кластеров кремния и углерода, а последующая их обработка плазмой тлеющего разряда сопровождается образованием α-SiC при низких темпера-турах в твердой фазе; пропитка кремнием при 1500 С при наличии пиролитического углерода в шихте приводит к образованию матрицы из β-SiC.  

Сформированный композиционный материал «алмаз – карбид кремния» содержит каркасную структуру из кристаллов алмаза с нанопокрытием, пронизанную карбидом кремния, и имеет высокие физико-механические свойства.


Об авторе

А. Е. Жук
Белорусский национальный технический университет
Беларусь


Список литературы

1. Гордеев, С. К. Алмазные композиционные конструкционные материалы / С. К. Гордеев // Теория и практики технологий производства изделий из композиционных материалов и новых металлических сплавов: труды междунар. конф., Москва, 27–30 авг. 2003 г. – М.: Знание, 2004. – С. 37–41.

2. Ковалевский, В. Н. Исследование эмиссионных процессов в плазме тлеющего разряда и их адаптация к магнетронным распылительным системам / В. Н. Ковалевский, К. Б. Фигурин, Б. Л. Фигурин // Металлургия. – Минск: Вышэйш. шк., 2002. – Вып. 26. – С. 87–91.

3. Структурообразование карбидокремниевой матрицы в композиции алмаз – карбид кремния / В. Н. Ковалевский [и др.] // Огнеупоры и техническая керамика. – 2005. – № 5. – С. 8–14.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Жук А.Е. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ SiC В АЛМАЗОСОДЕРЖАЩЕЙ КОМПОЗИЦИИ ПРИ НИЗКИХ ДАВЛЕНИЯХ. НАУКА и ТЕХНИКА. 2007;(4):27-31. DOI:10.21122/2227-1031-2007-0-4-27-31

For citation: Zhuk A.E. GENERAL RULES OF SIC FORMATION IN DIAMOND-CONTAINING COMPOSITION AT LOW PRESSURE. Science & Technique. 2007;(4):27-31. (In Russ.) DOI:10.21122/2227-1031-2007-0-4-27-31

Просмотров: 3

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.

ISSN 2227-1031 (Print)
ISSN 2414-0392 (Online)